„Halbleiterkristall“
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G. Müller. Über die Entstehung von Inhomogenitäten in Halbleiterkristallen bei der Herstellung aus Schmelzen. Selisch Fachbuch‐Verlag, 1986, 178 Seiten, 102 Abbildungen, 2 Tabellen, Preis DM 45,80, ISBN: 3–88813–000‐X
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Bauelemente – Elektronik 2
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Bauelemente
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Bauelemente
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Röntgenographische Untersuchungen zum Zusammenhang von Valenzelektronendichte und Gitterdeformationen in Halbleiterkristallen
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Ellipsometrische Untersuchungen an A3-B5-Halbleiterkristallen
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Die Anwendung der Rekursionsmethode auf die Berechnung von Bandstrukturen und Valenzelektronendichten in Halbleiterkristallen
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Nichtlineare Korrekturen zur Dichtematrix freier Elektronen und ihre Anwendung auf Abschirm- und Strukturprobleme von Halbleiterkristallen
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Untersuchungen zur direkten Berechnung der Valenzelektronendichteverteilung in Halbleiterkristallen
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Realstrukturuntersuchungen an festen Substitutionslösungen von III-V-Halbleiterkristallen [Drei-fünf-Halbleiterkristallen] mit Röntgenbeugungsmethoden
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Theoretische Untersuchungen zur Behandlung der Abschirmeigenschaften von Valenzelektronen, gebundenen Störstellenelektronen und freien Ladungsträgern in Halbleiterkristallen und zum Einfluss der Abschirmung auf die Störstellenbindungsenergie
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Theoretische Untersuchungen zur spinabhängigen Lumineszenz von Donator-Akzeptor-Paaren in Halbleiterkristallen
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Einheitliche Darstellung raumladungsbegrenzter Injektionen von Majoritäts[ladungsträgern] und Minoritätsladungsträgern in Halbleiterkristallen
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Synthese und Züchtung von Vielkomponenten‐Halbleiterkristallen durch chemische Transportreaktion †
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Zur Tracht‐Habitus‐Modifizierung von Halbleiterkristallen
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Zeitliche und örtliche Temperaturverteilung in einem Halbleiterkristall bei impulsförmiger Erwärmung
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Über die röntgenographische Analyse der mittleren quadratischen Atomverschiebungen in einigen Halbleiterkristallen †
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Longitudinale Plasmawellen im inhomogenen Halbleiterkristall
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Magnetohydrodynamische Effekte bei der Halbleiterkristallzüchtung
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Ionisierungspotentiale von Halbleiterkristallen und Abschätzung von Energiesprüngen an Heteroübergängen †